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　　三洋電機は，発振 波長405nmの青紫色半導体レーザと同660nmの赤色半導体レーザ，同785nmの赤外半導体レーザを1つのパ ッケージに格納した，いわゆる3波長レーザを開発 した。3波長レーザの開発発表はソニーに続き2社目で ある。

　　「Blu-ray Disc」や「HD DVD」といった次世代光ディスク装置の大半 は，現行DVDや同CD系の媒 体にも対応すると見られている。それを実現するには，次世代用の青紫，DVD用の赤，CD用の赤 外の3つの光源が必要だ。この3光源をそれぞれ別パッケージの半導体レーザで用 意していては，それぞれに対応する光学部品で光ヘッド内がいっぱいになって しまう。3波長レーザがあれば，かなりの光学部品 を共用でき，部品点数を大幅に削減できる。 ハ イブリッド型の構造を採用

　　三洋電機が開発した3波長レーザは，主に3つの点でソニーの開発品と似ている。第1には， いずれのレーザも高出力である点だ。CD，DVD，次世代光ディスクの3世代の媒体を，いずれも記録および再生が可能で ある。三洋電機の開発品におけるパルス発振時の定格光出力は，青紫色レーザ が120mW，赤色レーザが170mW，赤外レーザが220mWと高い。光ヘッドの光利用効率などによって異な るが，三洋電機はそれぞれの光出力をCD，DVD，次世代光ディスク媒体に対する記録速 度に換算して48倍速，12倍速，4倍速相当とする。ソニーの開発品の光出 力は，それぞれ120mW，150mW，200mWだった。

　　第2の共通点は，3種類の 半導体レーザ素子の一体化方法にある。三洋電機は今回，青紫色レーザ素子の 上に赤色レーザ素子と赤外レーザ素子をそれぞれ載せる，いわゆるハイブリッ ド型の構造を採用した。ソニーも同様の構造を採る。

　　第3の共通点は，青紫色レーザの基板材料に GaNを使うところである。三洋電機はこれま でもGaN基板を使う高出力の青紫色半導体レーザ を開発してきた。このGaN基板は，ハイブリッド型の3波長レーザで優れた特性を発揮する。それは，半 導体レーザで発生した熱をヒートシンクに逃がす役割である。GaNは，ヒートシンク材料並みに高い熱伝導率を持つ ことを利用する。青紫色レーザ素子の上に実装した赤色レーザや赤外レーザで 発生する熱が逃げやすく，熱がこもらない。 青 紫色レーザの発光点を中心に配置

　　一方で，相違点は半導体レーザの発光点の配置にある。ソニーが開発した3波長レーザは，青紫色レーザの発光点の直上に赤 色レーザの発光点を配置し，赤外レーザの発光点はズラした形だった。これに 対して三洋電機の配置は，青紫色レーザの発光点を中央にして，その左右にそ れぞれ赤色レーザと赤外レーザの発光点を置く。

　　こうすると，青紫色レーザの発光点の直上にp型電極 を設けることができ，電極構造が簡素になる。n型電極 を共通化した，一般的なカソード?コモン結線で使える。青紫色レーザ から赤色レーザ，または赤外レーザまでの発光点の間隔は約110μm。赤色レーザと赤外レーザの発光点の間隔は約220μmとなっ ている。

　　译文对照：

　　三洋电机开发出了将振荡波长分 别为405nm的蓝紫色半导体激光、660nm的红色半 导体激光、785nm的红外半导体激光集成在同一个封装内的3波长激光器。继索尼之后第2家宣布开发出3波长激光器。

　　无论是“蓝光光盘”还是“HD DVD”规格，新一代光驱大都还要支持 现有的DVD和CD光盘。为实现这一功能，就需要有新一代规格使用的蓝紫 色、DVD使用的红色和CD使用的红外这三种光源。如采用三种光源分别封装的半导 体激光器，则还要分别配备相应的光学元件，使得激光头内部非常拥挤。若采用 3波长激光器的话，许多光学元件都可以实现共用，从而大 幅减少元件的数量。 采用混合 型结构

　　三洋电机开发的3波长激光 器与索尼产品相似之处主要有3点：第一 是输出功率都很大。对于CD、DVD、新一代光盘，都可以进行刻录 和播放。三洋电机开发的产品其脉冲振荡时的额定输出功率为：蓝紫色激光为120mW、红色激光为170mW、红外激光为220mW。尽管激光头的光利用效率等有所差异，但三洋电机产品 的光输出功率在换算成CD、DVD、新一代光盘的刻录速度后，分 别相当于48倍速、12倍速、4倍速。索 尼产品的光输出功率则分别为120mW、150mW、200mW。

　　第二个共同点在于3种半导体激光元件的一体化方法 。三洋电机此次将红色激光元件与红外激光元件分别配置在蓝紫色激光元件的上 面，采用了所谓的混合型结构。而索尼也同样采用了同样的结构。

　　第三个共同点是蓝紫色激光器的底板材料均采用了GaN。三洋电机此前就一直在开发使用GaN底板的大功率蓝紫色激光器。这种GaN底板在混合型的3波长激光器上显示出了良好特性。因为它可以起到将半导 体激光器产生的热量传导至散热片的作用。GaN具有与散热材料相媲美的高性能热传导率。蓝紫色激光元 件上面安装的红色激光器与红外激光器产生的热量比较容易散发，不会聚集起来 。 以蓝紫色激光器发光点为中心进 行配置

　　但另一方面，在半导体激光 器的发光点配置方面却不一样。索尼开发的3波长激光器是将蓝紫色激光器发光点的正上方作为红色激 光器的发光点，与红外激光器的发光点错开。而三洋电机的配置则是以蓝紫色激 光器发光点为中心，将红色激光器与红外激光器的发光点分别配置在左右。

　　这样一来，就可以在蓝紫色 激光器的发光点正上方设置p型电极， 简化电极结构。n型电极采用普通的阴极共用接线 法。蓝紫色激光器发光点到红色激光器以及红外激光器发光点的间隔约< SPAN lang=EN-US style="FONT-SIZE: 13.5pt">110μm。红色激光器与红外激光器的发 光点间隔约220μm。